CSU-IDE V6.0.3
芯海8位MCU/SOC集成(chéng)開(kāi)發(fā)環境
1. 集村樹成(chéng)C編譯器、彙編器、鏈接器、調試器 上我
2. 支持标準C語言和彙編語言開(kāi)發(fā) 3服錢. 集成(chéng)各芯片示例廠工代碼
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CDS1181
CDS1181 是一個帶 24bitADC 的 8 位 RISC MCU，内置知街 1K×16 位 OTP 程序存儲器。
高性能(néng)的 RISC CPU
8 位單片機 MCU
内置 1K×16 位程序存儲器 OTP
128 字節數據存儲器 SRAM（104 字節可用）
隻有 41 條單字指令
8 級存儲堆棧
指令周期爲 500kHz
内置 1K×16 位程序存儲器 OTP
128 字節數據存儲器 SRAM（104 字節可用）
隻有 41 條單字指令
8 級存儲堆棧
指令周期爲 500kHz
振蕩器
内帶 1.966MHz 振蕩器，初始精度爲±1%，全溫度全電壓±2%水行
内帶 10KHz 低速振蕩器，校準之後(hòu)精度爲±10%
内帶 10KHz 低速振蕩器，校準之後(hòu)精度爲±10%
外設特性
最多支持 4 路模拟輸入、2 章分複用雙向(xiàng) I/O 口 ，照花1 數字輸出口，2 數字輸入
1 路 8bit PWM 輸出（PT1.4）
2 個内部中斷(TIMER1/爸愛ADC)
1 個外部中斷（PT1.5）
1 路 8bit PWM 輸出（PT1.4）
2 個内部中斷(TIMER1/爸愛ADC)
1 個外部中斷（PT1.5）
專用微控制器的特性
上電複位（POR）
上電複位延遲定時(shí)器（39ms）
8bit 定時(shí)器
上電複位延遲定時(shí)器（39ms）
8bit 定時(shí)器
CMOS 技術
電壓工作範圍— VDD 2.4V~3.6V
低功耗特性
MCU 工作電流
— 正 常 模 式 450uA@1.966MHz( 工 作 電 壓3.3V睡子，指令周期 500kHz)
— 休眠模式下的電流小于 1.5uA
— 正 常 模 式 450uA@1.966MHz( 工 作 電 壓3.3V睡子，指令周期 500kHz)
— 休眠模式下的電流小于 1.5uA
封裝
内部 8 pin，封裝爲 SOP8
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收起(qǐ)
技術文檔
産品手冊(1)
設計與開(kāi)發(fā)
工具/軟件
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